Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (8) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Vertsimakha G$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 4 Представлено документи з 1 до 4 |
|||
| 1. | 
Goliney I. Yu. Gold nanoshell effect on light-harvesting in LH2 complexes from photosynthetic bacteria [Електронний ресурс] / I. Yu. Goliney, V. I. Sugakov, G. V. Vertsimakha // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2013. - Т. 4, № 2. - С. 157-164. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/khphtp_2013_4_2_6 Теоретично досліджено вплив присутності золотої нанооболонки поблизу периферичного світлозбирального комплекса LH2 фотосинтетичних бактерій на ефективність процесів фотосинтезу. Визначений сумарний ефект обумовлений співвідношенням підсилення поглинання світла у смузі B850 внаслідок сильної взаємодії екситонів LH2-кільця та станів поверхневих плазмонів і додаткового гасіння збуджень поблизу металу. Визначено діапазон параметрів гібридної системи, для яких присутність золотої нанооболонки веде до підвищення ефективності збирання світла. | ||
| 2. | 
Vertsimakha G. V. Peculiarities of the exciton scattering in double semiconductor quantum wells with disordered layers [Електронний ресурс] / G. V. Vertsimakha // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 1. - С. 110-114. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_1_22 Effects of the presence of isolated disordered layers on the exciton scattering by compositional fluctuations in double semiconductor quantum wells have been studied. In the structures containing both ordered and disordered layers, the probability of the scattering depends on the degree of the exciton wavefunction localization in the disordered layers, where it interacts with the fluctuations. For some parameters of the structure the exciton wavefunction can penetrate deeply into the ordered layers of the structure, which leads to a sharp drop of the probability of the scattering and, consequently, to the narrowing of the optical exciton bands. It has been shown that for heterostructures containing diluted magnetic semiconductor layers, the probability of the scattering can be tuned by external magnetic field. | ||
| 3. | 
Vertsimakha G. V. Effect of the relative spatial arrangement of a metal Nanoshell and an LH2 complex of photosynthetic bacteria on the optical properties of the hybrid light-harvesting structure [Електронний ресурс] / G. V. Vertsimakha // Ukrainian journal of physics. - 2014. - Vol. 59, № 2. - С. 158-166. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2014_59_2_9 | ||
| 4. |
Vertsimakha G. V. Variational approach to the calculation of the lowest Wannier exciton state in wide type-II single semiconductor quantum wells [Електронний ресурс] / G. V. Vertsimakha // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 2. - С. 208-214. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_2_16 The possibility to change the spatial character of the Wannier exciton ground state in a wide single type-II semiconductor quantum well has been studied variationally. A heterostructure with the central layer forming a potential well for holes and a barrier for electrons has been considered. A trial function taking into account the possibility to shift the most probable position of hole from the center of the structure towards interfaces for reducing the distance to electron has been proposed. The exciton transition energy and binding energy were calculated for the structure based on the ZnO one. It has been shown that the proposed trial functions can be used for wide quantum wells for which it describes an exciton state with the carriers localized near the interfaces at a distance of the order of the Bohr radius for bulk exciton. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |